GaAs má lepší vlastnosti než křemík díky větší pohyblivosti elektronů v mřížce a vyšší saturační rychlosti elektronů. Součástky vyrobené na GaAs mají taky menší teplotní šum (ten je btw přímo úměrný elektrickému odporu, tedy nepřímo úměrný pohyblivosti a saturační rychlosti elektronů), proto využití v RF. Ještě mě napadá, že ten důvod mohl být taky ten, že než se podařilo zvládnout technologii na křemíku natolik, aby to bylo použitelné, tak se to obcházelo GaAs - mluvím o šumu způsobeném defekty v krystalové mřížce - proto MOSFETy strašně šumí, na rozhraní Si/SiO2 pod gate je spousta defektů.