--------[ SPD ]------
[ DIMM1: A-Data DQVE1A16 ]
Vlastnosti modulu pracovní paměti:
Název modulu A-Data DQVE1A16
Sériové číslo Žádný
Datum výroby Týden 45 / 2008
Velikost modulu 1 GB (2 ranks, 4 banks)
Typ modulu Unbuffered DIMM
Typ paměti DDR2 SDRAM
Rychlost paměti DDR2-800 (400 MHz)
Šířka modulu 64 bit
Napájení modulu SSTL 1.8
Metoda korekce chyb Žádný
Obnovovací frekvence Redukovaný (7.8 us), Self-Refresh
Časování pamětí:
@ 400 MHz 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Možnosti paměťových modulů:
Analysis Probe Nepřítomen
FET Switch External Deaktivováno
Weak Driver Podporováno
Výrobce paměťových modulů:
Jméno firmy ADATA Technology Co.
Informace o výrobku http://www.adata-group.com/index.php?action=product&cid=6&lan=en
[ DIMM3: A-Data DQVE1A16 ]
Vlastnosti modulu pracovní paměti:
Název modulu A-Data DQVE1A16
Sériové číslo Žádný
Datum výroby Týden 45 / 2008
Velikost modulu 1 GB (2 ranks, 4 banks)
Typ modulu Unbuffered DIMM
Typ paměti DDR2 SDRAM
Rychlost paměti DDR2-800 (400 MHz)
Šířka modulu 64 bit
Napájení modulu SSTL 1.8
Metoda korekce chyb Žádný
Obnovovací frekvence Redukovaný (7.8 us), Self-Refresh
Časování pamětí:
@ 400 MHz 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Možnosti paměťových modulů:
Analysis Probe Nepřítomen
FET Switch External Deaktivováno
Weak Driver Podporováno
Výrobce paměťových modulů:
Jméno firmy ADATA Technology Co.
Informace o výrobku http://www.adata-group.com/index.php?action=product&cid=6&lan=en
Řadič paměti:
Typ Dual Channel (128 bit)
Aktivní mód Single Channel (64 bit)
Časování pamětí:
CAS Latency (CL) 5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 5T
RAS Precharge (tRP) 5T
RAS Active Time (tRAS) 18T
Row Cycle Time (tRC) 24T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 6T
Read To Read Delay (tRTR) Different Rank: 3T
Write To Read Delay (tWTR) 3T, Different DIMM: 1T
Write To Write Delay (tWTW) Different Rank: 3T
Read To Precharge Delay (tRTP) 5T
Four Activate Window Delay (tFAW) 14T
Write CAS Latency (tWCL) 5T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
DRAM Drive Strength 1.0x
DRAM Data Drive Strength 1.0x
Clock Drive Strength 1.5x
CKE Drive Strength 2.0x
Idle Cycle Limit 16
Burst Length (BL) 64
Korekce chyb:
ECC Podporováno, Deaktivováno
ChipKill ECC Podporováno, Deaktivováno
RAID Nepodporováno
DRAM Scrub Rate Deaktivováno
L1 Data Cache Scrub Rate Deaktivováno
L2 Cache Scrub Rate Deaktivováno
L3 Cache Scrub Rate Deaktivováno
Patice pro paměti:
DRAM slot #1 1 GB (DDR2-800 DDR2 SDRAM)
DRAM slot #2 1 GB (DDR2-800 DDR2 SDRAM)