Přidat otázku mezi oblíbenéZasílat nové odpovědi e-mailemVyřešeno Podezřele vysoký úbytek na FET tranzistorech

http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET#MOSFET_operati on mas tam jasne obrazok.

Ako uz bolo spravne napisane, mas to blbo. Zataz musi ist na drain, medzi gate a source ide riadenie. Ked das zataz na source tak sa zataz podiela na riadeni a preto sa to moze ustalit (a asi aj ustali) na nejakom napati nerovnom 0 ani Vcc, v zavislosti od pretekajuceho prudu cez zataz alebo od vlastnosti danych tranzistorov (Vgs(th), "Gate Treshold Voltage" - to je tych 1.7V ktore tam meras, 1.7V pri danom prude cez zataz)

P.S: z toho mi vyplyva ze tie dvojtranzistory pouzit nemozes. To su IMHO skor na zosilovace (kde sa pohybujes s napatim niekde v strede nedzi Vcc a Gnd, v tom pripade by take zapojenie asi aj fungovalo) a nie na spinane voci Vcc alebo Gnd. Vystup sa IMHO u takeho zosilovaca nikdy uplne na Vcc a Gnd nedostane.
//P.S.edit: jaj oni su v puzdre uplne oddelene, tak potom ich pouzit mozes, ale spoj drainy a nie source.

Reakce na odpověď

1 Zadajte svou přezdívku:
2 Napište svou odpověď:
3 Pokud chcete dostat ban, zadejte libovolný text:

Zpět do poradny