Je to tak, většina výkonových MOSFET tranzistorů již má tuto diodu v sobě integrovanou, spíš je problém najít MOSFET, který tuto diodu nemá. Výhoda je, že ta dioda je dimenzována na poměrně veliký proud. Nevýhoda je, že chrání tranzistor pouze před záporným napětím u N-kanálu a kladným u P-kanálu (nižším napětím, než napájecím), kdežto impuls opačné (vyšší než napájecí) polarity tranzistor spolehlivě zničí (vyzkoušeno). Proto doporučuju zapojit současně další (rychlou) diodu paralelně s indukční zátěží v nepropustném směru.
V koncových stupních zesilovačů, kde jsou dva výkonnové MOSFET tranzistory se diody nemusí dávat, neboť jsou chráněny od obou špiček, jak kladné, tak i záporné. Přesto jsem viděl konstrukce, kde se rychlé diody pro jistotu daly (možná z nevědomosti ).
Jinak výkonový MOSFET pro tento účel je asi lepší volba, než klasický NPN či PNP tranzistor.