Tohle je obor, který jsem kdysi dávno vystudoval, ale profesionálně se mi nevěnuju, a tak mi už trochu ujel vlak. Nicméně platí, že se snižováním velikosti výrobního procesu se jednak zmenšuje plocha (ekonomické a výkonnostní důsledky), dále je možné teoreticky použít vyšší frekvence, protože limitující faktor je rychlost světla a snižují se ztráty (celý čip je menší, takže proudové ztráty na vedení a branách jsou menší, tím je také možné použít nižší napájecí napětí).

Co je ale problém, jsou 2 věci:

1. šířka vodivých cest a bran - už dnes se jedná v podstatě o jednotky atomů v těch nejužších místech, tedy náročnost a zmetkovitost výroby je relativně vysoká a křemík je pro takto malé výrobní postupy už celkem problematický materiál, i proto se historicky objevily technologie jako napnutý křemík nebo ještě starší SOI, které ve své době řešily problémy tehdejších výrob.

2. samotný výrobní proces - aby bylo možno takto filigránskou strukturu vyrobit (dělá se to tak, že se přes nějakou masku základní substrát nadopuje napařením jiným materiálem, a tím se vytvoří potřebný polovodičový přechod), je na to třeba mít možnost základní substrát "osvítit" tak, aby vznikla struktura dle masky. Tato maska není fyzicky přiložena, ale vzniká přesným osvětlováním - a to je problém, protože i to světlo s nejkratší vlnovou délkou (modré) je už příliš nepřesné na exaktní a bezproblémové vytvoření těchto struktur.